| Tên bài báo: |
Electronic properties of GaSe/MoS2 and GaS/MoSe2 heterojunctions from first principles calculations |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
2158-3226 |
| Tên tạp chí |
AIP Advances
(2158-3226, E-ISSN: 2158-3226)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
AMER INST PHYSICS |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2018 |
| Tập: |
8 |
| Số: |
|
| Trang: |
075207 |
|
| Lĩnh vực: |
VẬT LÝ |
| Tác giả: |
Pham Dinh Khang, Huynh Vinh Phuc, Nguyen Ngoc Hieu, Bùi Đình Hợi, Nguyen Van Chuong (Chính)
|
| File đính kèm: |
- AIP_Advances_8(2018)075207.pdf
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5033348
|
