| Tên bài báo: |
First principles study of the electronic properties and Schottky barrier in vertically stacked graphene on the Janus MoSeS under electric field |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
0927-0256 |
| Tên tạp chí |
Computational Materials Science
(0927-0256, E-ISSN: 1879-0801)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
ELSEVIER SCIENCE BV |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2018 |
| Tập: |
153 |
| Số: |
|
| Trang: |
438 - 444 |
|
| Lĩnh vực: |
VẬT LÝ |
| Tác giả: |
Pham Dinh Khang, Nguyen Ngoc Hieu, Huynh Vinh Phuc, Bùi Đình Hợi, Victor. A. Ilyasov, Bin Amin, Chuong V. Nguyen (Chính)
|
| File đính kèm: |
- Computational_Materials_Science_153_(2018)_438–444.pdf
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927025618304452?via%3Dihub
|
