Thông tin bài báo khoa học
| Tên bài báo: | Influence of defects introduced by irradiation with 4-9 MeV helium ions on impedance of silicon diodes | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tạp chí: |
|
||||||||||||||||||||
| Lĩnh vực: | VẬT LÝ | ||||||||||||||||||||
| Tác giả: | N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, T.N. Koltunowicz | ||||||||||||||||||||
| File đính kèm: | |||||||||||||||||||||
| Thuộc đề tài: | 0 |