Thông tin bài báo khoa học

Tên bài báo:

Effect of irradiation-induced defects Introduced by irradiation with 4-9 MeV helium ions on impedance of silicon diodes

Tạp chí:

ISSN:
Tên tạp chí	10th International Conference on Ion Implantation and Other Applications of IONS and Elektrons
Tạp chí	Nước ngoài
Năm đăng:	2014
Tập:
Số:
Trang:	58-58

Lĩnh vực:

VẬT LÝ

Tác giả:

N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenya, V.A. Skuratov, T.N. Kołtunowicz

Thuộc đề tài: