Thông tin bài báo khoa học
| Tên bài báo: | Sự hình thành lớp phá hủy bức xạ dày đặc trong diode silicon được chiếu xạ bằng ion bismuth với năng lượng 700 MeV | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tạp chí: |
|
||||||||||||||
| Lĩnh vực: | KHOA HỌC KỸ THUẬT VÀ CÔNG NGHỆ | ||||||||||||||
| Tác giả: | Võ Quang Nhã, Ngô Xuân Cường, Lê Vĩnh Thắng | ||||||||||||||
| Thuộc đề tài: | 0 |