Thông tin bài báo khoa học

Tên bài báo:

Equivalent Circuit of Al/SiO2/n-Si Structures Irradiated by Helium Ions with Energy 5 MeV at Fluence 1012 cm-2

Tạp chí:

ISSN:	2310-3450
Tên tạp chí	European Journal of Technology and Design
Tạp chí	Nước ngoài
Năm đăng:	2020
Tập:	8
Số:	1
Trang:	26-32

Lĩnh vực:

VẬT LÝ

Tác giả:

Võ Quang Nhã (Chính), Huỳnh Thị Thùy Linh, Nikolai I. Gorbachuk, Ngô Xuân Cường (Chính)

Thuộc đề tài:

Liên kết: