| Tên bài báo: |
Effects of electric field and device size on the electron velocity in p-i-n GaAs semiconductor |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
0375-9601 |
| Tên tạp chí |
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics
(0375-9601, E-ISSN: 1873-2429)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
ELSEVIER SCIENCE BV |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2023 |
| Tập: |
490 |
| Số: |
|
| Trang: |
129174 (5 pages) |
|
| Lĩnh vực: |
Vật lý các chất cô đặc |
| Tác giả: |
Nguyen Phuoc The, Dinh Nhu Thao, Ho Khac Hieu (Chính)
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://doi.org/10.1016/j.physleta.2023.129174
|
