| Tên bài báo: |
Piezoelectric GaGeX2 (X = N, P, and As) semiconductors with Raman activity and high carrier mobility for multifunctional applications: a first-principles simulation |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
2046-2069 |
| Tên tạp chí |
RSC Advances
(2046-2069)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
ROYAL SOC CHEMISTRY |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2024 |
| Tập: |
14 |
| Số: |
|
| Trang: |
32053 |
|
| Lĩnh vực: |
Vật lý các chất cô đặc |
| Tác giả: |
Tuan V. Vu (Chính), Nguyen T. Hiep, Vo T. Hoa, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
|
| File đính kèm: |
- RSC_Adv_14(2024)32053.pdf
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://doi.org/10.1039/D4RA06406B
|
