| Tên bài báo: |
High stability Janus structures of two dimensional Fe3GeTe2 monolayer by first-principles investigations |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
1369-8001 |
| Tên tạp chí |
Materials Science in Semiconductor Processing
(1369-8001, E-ISSN: 1873-4081)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
ELSEVIER SCI LTD |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2025 |
| Tập: |
186 |
| Số: |
|
| Trang: |
109055 |
|
| Lĩnh vực: |
Vật lý các chất cô đặc |
| Tác giả: |
Nguyen T. Hiep (Chính), Dinh T. Khan, Le T. P. Thao, C. Q. Nguyen, Bùi Đình Hợi, Huynh V. Phuc (Chính), Nguyen N. Hieu
|
| File đính kèm: |
- 128-Materials_Science_in_Semiconductor_Processing_186_(2025)_109055-1.pdf
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109055
|
