| Tên bài báo: |
Raman response, piezoelectricity, and transport properties of the two-dimensional Janus HfSiX3H (X = N/P/As) semiconductors: A first-principles study |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
2469-9950 |
| Tên tạp chí |
Physical Review B
(2469-9950, E-ISSN: 2469-9969)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
AMER PHYSICAL SOC |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2024 |
| Tập: |
110 |
| Số: |
|
| Trang: |
235403 |
|
| Lĩnh vực: |
Vật lý các chất cô đặc |
| Tác giả: |
Vu V. Tuan (Chính), Nguyen T. Hiep, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu
|
| File đính kèm: |
- 127-PhysRevB_110_235403-1.pdf
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.235403
|
