| Tên bài báo: |
Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X = N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
0022-3727 |
| Tên tạp chí |
Journal of Physics D: Applied Physics
(0022-3727, E-ISSN: 1361-6463)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
IOP PUBLISHING LTD |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2025 |
| Tập: |
58 |
| Số: |
|
| Trang: |
105309 |
|
| Lĩnh vực: |
Vật lý các chất cô đặc |
| Tác giả: |
Tuan V Vu (Chính), Nguyen T Hiep, Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V Phuc, A I Kartamyshev, Nguyen N Hieu (Chính)
|
| Thuộc đề tài: |
0
|
| Liên kết: |
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ada3df
|
