| Tên bài báo: |
Novel auxetic semiconductors with high carrier mobility: first principles prediction of Janus Ge2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers |
| Tạp chí: |
| ISSN: |
2516-0230 |
| Tên tạp chí |
Nanoscale Advances
(2516-0230)
|
| Tạp chí |
Nước ngoài |
| Cơ quan xuất bản |
ROYAL SOC CHEMISTRY |
| Loại tạp chí |
Tạp chí |
| Cấp tạp chí |
SCIE |
| Năm đăng: |
2025 |
| Tập: |
7 |
| Số: |
8 |
| Trang: |
2301-2308 |
|
| Lĩnh vực: |
Các vật liệu nano |
| Tác giả: |
Võ Quang Nhã (Chính), Nguyễn Quang San, Huỳnh Thị Thùy Linh, Tuan V. Vu, Nguyen D. Hien (Chính)
|
| Thuộc đề tài: |
1
|
| Liên kết: |
https://doi.org/10.1039/d4na00852a
|
