DHH-2018-13-05

Nghiên cứu sự hình thành các điện tích cục bộ tại bề mặt phân biên của cấu trúc Al/SiO2/n-Si được chiếu xạ bởi các ion helium với năng lượng 5 MeV

Lĩnh vực: KHOA HỌC KỸ THUẬT VÀ CÔNG NGHỆ
Đơn vị chủ trì : Phân hiệu Đại học Huế tại Quảng trị
Đơn vị thực hiện : Phân hiệu Đại học Huế tại Quảng trị
Người tham gia: Võ Quang Nhã (Chủ nhiệm), Ngô Xuân Cường, Võ Quang Mẫn