Dữ liệu bài báo khoa học
Novel Janus based on the α phase of silver monochalcogenides: a first-principles study of α-Ag2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers
Journal of Physics D: Applied Physics,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Le T N Tu (Chính), Tran T Nguyen, Khanh V Hoang, Cuong Q Nguyen, Nguyen N Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ade9d7
Tunable Raman activity and enhanced piezoelectricity of AlGeZ2 (Z = N, P, and As) monolayers: A first-principles calculation
Ceramics International,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V. Phuc, Nguyen P.Q. Anh, A.I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.02.131
Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X = N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices
Journal of Physics D: Applied Physics,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V Vu (Chính), Nguyen T Hiep, Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V Phuc, A I Kartamyshev, Nguyen N Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ada3df
A first-principles prediction of novel Janus ZrGeZ3H (Z = N, P, and As) monolayers: Raman active modes, piezoelectric responses, electronic properties, and carrier mobility
RSC Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Nguyen T. Hiep (Chính), Khanh V. Hoang, A. I. Kartamyshev, Huynh V. Phuc (Chính), Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA04107K
Large piezoelectric responses and ultra-high carrier mobility in Janus HfGeZ3H (Z = N, P, As) monolayers: a first-principles study
Nanoscale Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Huynh V. Phuc (Chính), Lê Thị Thu Phương, Võ Thị Tuyết Vi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4NA00304G
Spin–orbit coupling tunable electronic properties of 1T'-MoS2 and ternary Janus 1T'-MoSSe monolayers: Theoretical prediction
Chemical Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen N. Hieu (Chính), Nguyen V. Hieu, Huy Le-Quoc, Võ Thị Tuyết Vi, Cuong Q. Nguyen, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Kien Nguyen-Ba (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2024.112300
Two-dimensional Janus Si2OX (X = S, Se, Te) monolayers as auxetic semiconductors: theoretical prediction
RSC Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen P. Q. Anh (Chính), N. A. Poklonski, Võ Thị Tuyết Vi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA00767K
Crystal lattice and electronic and transport properties of Janus ZrSiSZ2 (Z = N, P, As) monolayers by first-principles investigations
Nanoscale Advances,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen P. Q. Anh (Chính), Nguyen T. Hiep, D. V. Lu, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu, Võ Thị Tuyết Vi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D3NA00631J
Anisotropic Crystal Structure and High Electron Mobility of Novel Ternary Janus P6XY Monolayers (X/Y = S, Se, Te): First-Principles Examinations
Advanced Theory and Simulations,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Bùi Đình Hợi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1002/adts.202300471
Moderate direct band-gap energies and high carrier mobilities of Janus XWSiP2 (X = S, Se, Te) monolayers via first-principles investigation
Physical Chemistry Chemical Physics,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Hiep T. Nguyen (Chính), Nguyen Q. Cuong, Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Nguyen N. Hieu, Linh P. T. Tran
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D3CP02037A
Strain engineering of multi-interband optical transitions in β12-borophene
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tran Cong Phong (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Lê Thị Thu Phương (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2023.128946
Janus structures of the C2h polymorph of gallium monochalcogenides: first-principles examination of Ga2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers
RSC Advances,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan-Anh Tran (Chính), Le S. Hai, Võ Thị Tuyết Vi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen T. Nghiem, Le T. P. Thao, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D3RA01079A