Dữ liệu bài báo khoa học
Novel Janus based on the α phase of silver monochalcogenides: a first-principles study of α-Ag2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers
Journal of Physics D: Applied Physics,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Le T N Tu (Chính), Tran T Nguyen, Khanh V Hoang, Cuong Q Nguyen, Nguyen N Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ade9d7
Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tạp chí Bài báo trên các tạp chí khoa học của các Đại học trong nước,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: HĐCDGS
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu (Chính)
Tunable Raman activity and enhanced piezoelectricity of AlGeZ2 (Z = N, P, and As) monolayers: A first-principles calculation
Ceramics International,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V. Phuc, Nguyen P.Q. Anh, A.I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.02.131
Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X = N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices
Journal of Physics D: Applied Physics,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V Vu (Chính), Nguyen T Hiep, Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V Phuc, A I Kartamyshev, Nguyen N Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ada3df
A first-principles prediction of novel Janus ZrGeZ3H (Z = N, P, and As) monolayers: Raman active modes, piezoelectric responses, electronic properties, and carrier mobility
RSC Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Nguyen T. Hiep (Chính), Khanh V. Hoang, A. I. Kartamyshev, Huynh V. Phuc (Chính), Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA04107K
Large piezoelectric responses and ultra-high carrier mobility in Janus HfGeZ3H (Z = N, P, As) monolayers: a first-principles study
Nanoscale Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Huynh V. Phuc (Chính), Lê Thị Thu Phương, Võ Thị Tuyết Vi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4NA00304G
Spin–orbit coupling tunable electronic properties of 1T'-MoS2 and ternary Janus 1T'-MoSSe monolayers: Theoretical prediction
Chemical Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen N. Hieu (Chính), Nguyen V. Hieu, Huy Le-Quoc, Võ Thị Tuyết Vi, Cuong Q. Nguyen, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Kien Nguyen-Ba (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2024.112300
Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tạp chí Bài báo trên các tạp chí khoa học của các Đại học trong nước,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: HĐCDGS
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu (Chính)
Two-dimensional Janus Si2OX (X = S, Se, Te) monolayers as auxetic semiconductors: theoretical prediction
RSC Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen P. Q. Anh (Chính), N. A. Poklonski, Võ Thị Tuyết Vi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA00767K
Crystal lattice and electronic and transport properties of Janus ZrSiSZ2 (Z = N, P, As) monolayers by first-principles investigations
Nanoscale Advances,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen P. Q. Anh (Chính), Nguyen T. Hiep, D. V. Lu, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu, Võ Thị Tuyết Vi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D3NA00631J
Nghiên cứu các tính chất điện tử và truyền dẫn của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên/Hue University Journal of Science: Natural Science,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: ACI
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu (Chính)
Liên kết: https://jos.hueuni.edu.vn/index.php/hujos-ns/issue/view/283
Anisotropic Crystal Structure and High Electron Mobility of Novel Ternary Janus P6XY Monolayers (X/Y = S, Se, Te): First-Principles Examinations
Advanced Theory and Simulations,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Bùi Đình Hợi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1002/adts.202300471