Dữ liệu bài báo khoa học
Exploring vibrational properties, Rashba spin splitting, and phonon-limited carrier mobility in Janus WBPX2 (X = S, Se, Te) monolayers
RSC Advances,
2026
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Le T. Hoa, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu, Võ Thị Tuyết Vi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/d6ra02529c
Band alignment engineering and highly efficient photocatalytic water splitting in type-II BSe/As2C3 van der Waals heterostructure
International Journal of Hydrogen Energy,
2026
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCOPUS
Tác giả:
Cuong Q. Nguyen (Chính), Pham T. Truong, Huynh V. Phuc, Nguyen V. Hieu, Võ Thị Tuyết Vi, Le M. Duc, Nguyen T. Hung, Chuong V. Nguyen (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2026.154496
NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ ĐỘ LINH ĐỘNG CỦA HẠT TẢI TRONG VẬT LIỆU HAI CHIỀU JANUS SMoGeZ2 (Z = N, P, As) BẰNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên/Hue University Journal of Science: Natural Science,
2026
Lĩnh vực: Khoa học vật lý khác, KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHÁC
Danh mục: ACI
Tác giả:
Võ Quang Nhã (Chính), Lê Thị Ngọc Bảo, Đỗ Thị Minh Anh, Nguyễn Quang Cường, Võ Thị Tuyết Vi (Chính)
Role of electron–phonon coupling in charge transport of Janus WBNX2 (X =S, Se, Te) monolayers: A first-principles analysis
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures,
2026
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, A.I. Kartamyshev, Huynh V. Phuc (Chính), Nguyen T. Hiep (Chính), Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.physe.2026.116466
Novel Janus based on the α phase of silver monochalcogenides: a first-principles study of α-Ag2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers
Journal of Physics D: Applied Physics,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Le T N Tu (Chính), Tran T Nguyen, Khanh V Hoang, Cuong Q Nguyen, Nguyen N Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ade9d7
Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tạp chí Bài báo trên các tạp chí khoa học của các Đại học trong nước,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: HĐCDGS
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu (Chính)
Tunable Raman activity and enhanced piezoelectricity of AlGeZ2 (Z = N, P, and As) monolayers: A first-principles calculation
Ceramics International,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V. Phuc, Nguyen P.Q. Anh, A.I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.02.131
Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X = N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices
Journal of Physics D: Applied Physics,
2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V Vu (Chính), Nguyen T Hiep, Võ Thị Tuyết Vi, Huynh V Phuc, A I Kartamyshev, Nguyen N Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ada3df
A first-principles prediction of novel Janus ZrGeZ3H (Z = N, P, and As) monolayers: Raman active modes, piezoelectric responses, electronic properties, and carrier mobility
RSC Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Võ Thị Tuyết Vi, Nguyen T. Hiep (Chính), Khanh V. Hoang, A. I. Kartamyshev, Huynh V. Phuc (Chính), Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA04107K
Large piezoelectric responses and ultra-high carrier mobility in Janus HfGeZ3H (Z = N, P, As) monolayers: a first-principles study
Nanoscale Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Huynh V. Phuc (Chính), Lê Thị Thu Phương, Võ Thị Tuyết Vi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4NA00304G
Spin–orbit coupling tunable electronic properties of 1T'-MoS2 and ternary Janus 1T'-MoSSe monolayers: Theoretical prediction
Chemical Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen N. Hieu (Chính), Nguyen V. Hieu, Huy Le-Quoc, Võ Thị Tuyết Vi, Cuong Q. Nguyen, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Kien Nguyen-Ba (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2024.112300
Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tạp chí Bài báo trên các tạp chí khoa học của các Đại học trong nước,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: HĐCDGS
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu (Chính)