Dữ liệu bài báo khoa học
Effect of irradiation-induced defects Introduced by irradiation with 4-9 MeV helium ions on impedance of silicon diodes
10th International Conference on Ion Implantation and Other Applications of IONS and Elektrons,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenya, V.A. Skuratov, T.N. Kołtunowicz
Current–voltage characteristic features of diodes irradiated with xenon ions with energy 170 MeV
Acta Physica Polonica A,
2013
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: SCIE
Tác giả:
N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, N.A. Poklonski
Liên kết: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.123.926
Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ и ксенона с энергией 170 МэВ
Взаимодействие излучений с твердым телом,
2013
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов, A. Wieck
Импеданс кремниевых диодов, облученных ионами гелия с энергиями 4–9 МэВ
Актуальные проблемы физики твердого тела,
2013
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, Ю.А. Красицкая, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов
Current–voltage characteristic features of diodes irradiated with xenon ions with energy 170 MeV
Ion implantation and other applications of ions and electrons,
2012
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov
Спектры DLTS кремниевых диодов с p+-n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами криптона
IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых,
2012
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, А.С. Турцевмч, С.В. Шведов, Võ Quang Nhã
Образование сплошного радиационно-нарушенного слоя в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Материалы и структуры современной электроники,
2012
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, Võ Quang Nhã, Ю.А. Красицкая, В.А. Скуратов
Отжиг радиационных дефектов в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Материалы и структуры современной электроники,
2012
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, Võ Quang Nhã, Ю.А. Красицкая, В.А. Скуратов