Dữ liệu bài báo khoa học
The formation of radiation-disturbed layer in Al/SiO2/n-Si structures irradiated by helium ions with energy 5 MeV
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên/Hue University Journal of Science: Natural Science,
2020
Lĩnh vực: KHOA HỌC TỰ NHIÊN
Danh mục: ACI
Tác giả:
Võ Quang Nhã (Chính), Huỳnh Thị Thùy Linh, Ngô Xuân Cường (Chính)
Equivalent Circuit of Al/SiO2/n-Si Structures Irradiated by Helium Ions with Energy 5 MeV at Fluence 1012 cm-2
European Journal of Technology and Design,
2020
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Võ Quang Nhã (Chính), Huỳnh Thị Thùy Linh, Nikolai I. Gorbachuk, Ngô Xuân Cường (Chính)
Liên kết: http://dx.doi.org/10.13187/ejtd.2020.1.26
Opening a band gap in graphene by C–C bond alternation: a tight binding approach
Materials Research Express,
2019
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Đoàn Quốc Khoa (Chính), Võ Quang Nhã
Liên kết: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aaf914/meta
A simplified calculation method of electric linear actuators for single-axis sun tracker
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên/Hue University Journal of Science: Natural Science,
2018
Lĩnh vực: KỸ THUẬT ĐIỆN, KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ, KỸ THUẬT THÔNG TIN
Danh mục: ACI
Tác giả:
Ngô Xuân Cường (Chính), Võ Quang Nhã, Nguyễn Thị Hồng
Liên kết: http://jos.hueuni.edu.vn/index.php/HUJOS-NS/article/view/5072
Ab-initio study of electronic and optical properties of biaxially deformed single-layer GeS
Superlattices and Microstructures,
2018
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Pham Dinh Khoa (Chính), Võ Quang Nhã
Liên kết: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0749603618309108
Sự hình thành lớp phá hủy bức xạ dày đặc trong diode silicon được chiếu xạ bằng ion bismuth với năng lượng 700 MeV
Conference on Education Sciences and Technologies 2017,
2017
Lĩnh vực: KHOA HỌC KỸ THUẬT VÀ CÔNG NGHỆ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Võ Quang Nhã, Ngô Xuân Cường, Lê Vĩnh Thắng
Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ
2016. Материалы и структуры современной электроники,
2016
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Võ Quang Nhã
Liên kết: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164196
DLTS spectra of silicon diodes with p+-n-junction irradiated with high energy krypton ions
Modern Electronic Materials,
2016
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, A.S. turtsevich, S.V Shvedov, Võ Quang Nhã
Influence of defects introduced by irradiation with 4-9 MeV helium ions on impedance of silicon diodes
Acta Physica Polonica A,
2015
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: SCIE
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, T.N. Koltunowicz
Спектры DLTS кремниевых диодов с p+-n-переходом, облученных ысокоэнергетическими ионами криптона
Материалы электронной техники,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Поклонский Н.А, Горбачук Н.И, Шпаковский С.В, Филипеня В.А, Турцевич А.С, Шведов С.В, Võ Quang Nhã
Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Вестник БГУ,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, C.Б. Ластовский, В.А. Скуратов
Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Вестник БГУ,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов