Dữ liệu bài báo khoa học
Ab-initio study of electronic and optical properties of biaxially deformed single-layer GeS
Superlattices and Microstructures,
2018
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Pham Dinh Khoa (Chính), Võ Quang Nhã
Liên kết: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0749603618309108
Sự hình thành lớp phá hủy bức xạ dày đặc trong diode silicon được chiếu xạ bằng ion bismuth với năng lượng 700 MeV
Conference on Education Sciences and Technologies 2017,
2017
Lĩnh vực: KHOA HỌC KỸ THUẬT VÀ CÔNG NGHỆ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Võ Quang Nhã, Ngô Xuân Cường, Lê Vĩnh Thắng
Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ
2016. Материалы и структуры современной электроники,
2016
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Võ Quang Nhã
Liên kết: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164196
DLTS spectra of silicon diodes with p+-n-junction irradiated with high energy krypton ions
Modern Electronic Materials,
2016
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, A.S. turtsevich, S.V Shvedov, Võ Quang Nhã
Influence of defects introduced by irradiation with 4-9 MeV helium ions on impedance of silicon diodes
Acta Physica Polonica A,
2015
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: SCIE
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, T.N. Koltunowicz
Спектры DLTS кремниевых диодов с p+-n-переходом, облученных ысокоэнергетическими ионами криптона
Материалы электронной техники,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Поклонский Н.А, Горбачук Н.И, Шпаковский С.В, Филипеня В.А, Турцевич А.С, Шведов С.В, Võ Quang Nhã
Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Вестник БГУ,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, C.Б. Ластовский, В.А. Скуратов
Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Вестник БГУ,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов
Effect of irradiation-induced defects Introduced by irradiation with 4-9 MeV helium ions on impedance of silicon diodes
10th International Conference on Ion Implantation and Other Applications of IONS and Elektrons,
2014
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenya, V.A. Skuratov, T.N. Kołtunowicz
Current–voltage characteristic features of diodes irradiated with xenon ions with energy 170 MeV
Acta Physica Polonica A,
2013
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: SCIE
Tác giả:
N.I. Gorbachuk, Võ Quang Nhã, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, N.A. Poklonski
Liên kết: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.123.926
Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ и ксенона с энергией 170 МэВ
Взаимодействие излучений с твердым телом,
2013
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов, A. Wieck
Импеданс кремниевых диодов, облученных ионами гелия с энергиями 4–9 МэВ
Актуальные проблемы физики твердого тела,
2013
Lĩnh vực: VẬT LÝ
Danh mục: Khác
Tác giả:
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Võ Quang Nhã, Ю.А. Красицкая, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов