Dữ liệu bài báo khoa học
Piezoelectric GaGeX2 (X = N, P, and As) semiconductors with Raman activity and high carrier mobility for multifunctional applications: a first-principles simulation
RSC Advances,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Nguyen T. Hiep, Vo T. Hoa, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA06406B
RKKY interaction in the doped and gapped SnTe(001) surface
Journal of Magnetism and Magnetic Materials,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Bùi Đình Hợi, Tran Tien
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2024.172446
Janus piezoelectric ZrSiZ3H (Z = N, P, As) semiconductors with Raman response and high carrier mobility by a first-principles investigation
Surfaces and Interfaces,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCOPUS
Tác giả:
Tuan V. Vu, Nguyen T. Hiep, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, Tran P.T. Linh, A.I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.104975
Electron-phonon coupling and magnetic proximity effects on the RKKY interaction in topological crystalline insulators
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2024.129729
Control of magnetism on the topological SnTe(001) surface by doping, strain, and gap opening
Journal of Magnetism and Magnetic Materials,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Bùi Đình Hợi (Chính), Doan Q. Khoa, Nguyen T. Dung, Ho Viet, Vo T. Lam
Liên kết: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0304885324005791?via=ihub
Electronic phase transition in bilayer P6mmm borophene
Physical Chemistry Chemical Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen N. Hieu, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2024/cp/d4cp01484g
Switching of the RKKY coupling on a topological crystalline insulating surface
Physical Review B,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.109.184441
Induced out-of-plane piezoelectricity and giant Rashba spin splitting in Janus WSiZ3H (Z = N, P, As) monolayers toward next-generation electronic devices
Journal of Applied Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Tuan V. Vu (Chính), Bùi Đình Hợi (Chính), A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://pubs.aip.org/aip/jap/article/135/7/074301/3265512/Induced-out-of-plane-piezoelectricity-and-giant
Substrate-induced strain and exchange field effects on the electronic and thermal properties of monolayer β12-borophene
Physical Chemistry Chemical Physics,
2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Bùi Đình Hợi (Chính), Lê Thị Thu Phương, Pham V. Dung, Tran Cong Phong (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D3CP06225B
Probing Pauli susceptibility of β12-borophene in the presence of gas molecules
Journal of Magnetism and Magnetic Materials,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen N. Hieu, Ta T. Tho, Nguyen Q. Bau, Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0304885323013471?via=ihub
On the impact of adsorbed gas molecules on the anisotropic electro-optical properties of β12-borophene
Physical Chemistry Chemical Physics,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Nguyen N. Hieu, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi (Chính)
Anisotropic Crystal Structure and High Electron Mobility of Novel Ternary Janus P6XY Monolayers (X/Y = S, Se, Te): First-Principles Examinations
Advanced Theory and Simulations,
2023
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả:
Võ Thị Tuyết Vi (Chính), Bùi Đình Hợi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1002/adts.202300471