0375-9601

Electrical and thermal conductivity of gated and irradiated jacutingaite Pt2HgSe3

Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Ta T. Tho, Nguyen D. Nam, Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2025.131012

1463-9076

Quantized optical conductivity of gated and irradiated monolayer Pt2HgSe3

Physical Chemistry Chemical Physics, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Bùi Đình Hợi (Chính), Ta T. Tho

2469-9950

Edelstein effect in optically driven monolayer jacutingaite Pt2HgSe3

Physical Review B, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Nguyen Q. Bau, Ta T. Tho, Lê Thị Thu Phương, Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1103/tsrz-5t2s

Two-dimensional Janus $\alpha$-Au$_{2}$XY (X, Y = S/Se/Te) semiconductors with favourable band gaps and high carrier mobilities predicted by first-principles investigations

RSC Advances, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Nguyen T. Hiep (Chính), Quach K. Quang, Mai T. V. Nhan, Khanh V. Hoang, Cuong Q. Nguyen, Bùi Đình Hợi (Chính), Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1039/d5ra01319d

0868-3166

Electron-phonon coupling effects on the van Hove singularity in topological crystalline insulators

Communications in Physics (tên cũ: Tạp chí Vật lý), 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: ACI
Tác giả: Doan Q. Khoa, Nguyen T. Dung, Tran Tien, Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.15625/0868-3166/22638

0375-9601

Investigation of the impact of a strain-induced pseudo-magnetic field on the magneto-optical absorption spectra of monolayer 8–

Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Ta T. Tho (Chính), Doan M. Quang, Nguyen Q. Bau, Bùi Đình Hợi (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2025.130446

0301-0104

Novel Janus Co_{3}GeXTe (X = S, Se) monolayers with high structural stability: First-principles predictions

Chemical Physics, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Nguyen T. Hiep (Chính), Võ Quang Nhã, Lê Đình Hiếu, Bùi Đình Hợi (Chính), Nguyen P. Q. Anh, Huynh V. Phuc, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2025.112660

1369-8001

High stability Janus structures of two dimensional Fe3GeTe2 monolayer by first-principles investigations

Materials Science in Semiconductor Processing, 2025
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Nguyen T. Hiep (Chính), Dinh T. Khan, Le T. P. Thao, C. Q. Nguyen, Bùi Đình Hợi, Huynh V. Phuc (Chính), Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109055

2469-9950

Raman response, piezoelectricity, and transport properties of the two-dimensional Janus HfSiX3H (X = N/P/As) semiconductors: A first-principles study

Physical Review B, 2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Vu V. Tuan (Chính), Nguyen T. Hiep, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.235403

2046-2069

Piezoelectric GaGeX2 (X = N, P, and As) semiconductors with Raman activity and high carrier mobility for multifunctional applications: a first-principles simulation

RSC Advances, 2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Tuan V. Vu (Chính), Nguyen T. Hiep, Vo T. Hoa, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu (Chính)
Liên kết: https://doi.org/10.1039/D4RA06406B

0304-8853

RKKY interaction in the doped and gapped SnTe(001) surface

Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCIE
Tác giả: Bùi Đình Hợi, Tran Tien
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2024.172446

2468-0230

Janus piezoelectric ZrSiZ3H (Z = N, P, As) semiconductors with Raman response and high carrier mobility by a first-principles investigation

Surfaces and Interfaces, 2024
Lĩnh vực: Vật lý các chất cô đặc
Danh mục: SCOPUS
Tác giả: Tuan V. Vu, Nguyen T. Hiep, Huynh V. Phuc, Bùi Đình Hợi, Tran P.T. Linh, A.I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu
Liên kết: https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.104975